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中國大陸業者在NAND Flash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。集邦科技旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯（原同方國芯）投資、武漢新芯擴廠，以及國際大廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年大陸當地NAND Flash月產能達59萬片，相較於2015年成長近7倍。

集邦預估，2012～2016年NAND Flash生產端年平均位元成長率達47％，其終端消費端需求年平均位元成長率亦高達46％，顯示NAND Flash仍為高速發展產業。拓墣研究經理林建宏表示，中國大陸在突破記憶體自製缺口的政策方針下，將發展NAND Flash晶圓製造，可由NAND Flash產品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間及國際半導體大廠在大陸投資四大方向切入。

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在NAND Flash產品特性部分，產品在消費性應用下，價格是主要考量，因此生產成本的控制至為關鍵。大陸廠商宜透過折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點。

在製程微縮部分，NAND Flash在進入2x奈米世代後，製程微縮帶來的成本優勢越來越不明顯，推遲國際NAND Flash大廠技術進程，因此3D NAND Flash成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出，產品由2按摩棒D走到3D，需有新的技術領域加入，若能整合跨領域人才和技術，能成為大陸廠商追趕的機會。

在市場需求上，雖然NAND Flash產業短期仍處於供過於求，但長期而言新興市場仍有成長空間。大陸隨著一帶一路政策發展的策略，對開發其周遭新興市場需求有相當助益，妥善安排資源與發揮對新興國家的影響力，將是大陸獨有的優勢所在，也可創造出更多元的NAND Flash需求。

另外，國際半導體廠商積極投入大陸市場，在當地培養有經驗和技術的人才，支持廠房運維的高度需求，有助降低大陸當地業者發展自主NAND Flash製造的門檻。大陸透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進駐，為大陸發展NAND Flash產業帶來最好機會。

目前在大陸當地生產NAND Flash的業者以三星為主，英特爾已決定將大連廠改為NAND Flash廠，預計自今年第4季加入生產行列。在當地業者部分，武漢新芯已決定新建記憶體晶圓廠，將從3月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規畫將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產品，代表了近兩年來中國大陸極力發展記憶體產業的態勢下，將開始進入新的里程碑。

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